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XP152A11E5MR-G
1个P沟道 耐压:30V 电流:0.7A
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- 描述
- P- 通道功率 MOSFET 具有低导通电阻和超高速开关特性。由于可以进行高速开关，因此可以有效地设置 IC，从而节省能源。为了抗静电，内置了栅极保护二极管。小尺寸 SOT-23 封装使高密度安装成为可能。
- 品牌名称
- TOREX(特瑞仕)
- 商品型号
- XP152A11E5MR-G
- 商品编号
- C6616834
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低导通电阻:Vgs = -10V时,Rds(on) = 0.25Ω
- Vgs = -4.5V时,Rds(on) = 0.45Ω
- 超高速开关
- 内置栅极保护二极管
- 驱动电压:-4.5V
- P沟道功率MOSFET
- DMOS结构
- 小型封装:SOT - 23
- 环保:符合欧盟RoHS标准,无铅
应用领域
-笔记本电脑-手机和便携式电话-车载电源-锂离子电池系统