XPH4R10ANB,L1XHQ
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- XPH4R10ANB,L1XHQ
- 商品编号
- C6616854
- 商品封装
- SOIC-8-5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 170W；960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.97nF |
商品概述
NP82N10PUF是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 小型薄封装
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.4 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
- 增强型:Vth = 2.5 至 3.5 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)
应用领域
-汽车领域-电机驱动器-开关稳压器
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