XPH3R206NC,L1XHQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:70A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- XPH3R206NC,L1XHQ
- 商品编号
- C6616850
- 商品封装
- SOIC-8-5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,35A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 132W；960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.18nF@10V |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：DC-DC转换器、电源管理功能。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备PPAP能力
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能
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