XPH3R206NC,L1XHQ
1个N沟道 耐压:60V 电流:70A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- XPH3R206NC,L1XHQ
- 商品编号
- C6616850
- 商品封装
- SOIC-8-5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 132W；960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.18nF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：DC-DC转换器、电源管理功能。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 小型薄封装
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.6 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)
- 增强型:Vth = 1.5 至 2.5 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
- 汽车领域
- 电机驱动器
- 开关稳压器
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