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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC27289DRCR

具备8V欠压锁定和负电压处理功能的120V半桥驱动器

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描述
是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器,最大开关节点(HS)额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻,使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关,可与模拟和数字控制器配合使用
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC27289DRCR
商品编号
C6581860
商品封装
VSON-10(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.112971克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)3A
拉电流(IOH)3A
工作电压8V~16V
上升时间(tr)12ns
属性参数值
下降时间(tf)10ns
传播延迟 tpLH16ns
传播延迟 tpHL16ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+140℃
输入高电平(VIH)1.9V~2.4V
输入低电平(VIL)900mV~1.3V
静态电流(Iq)450uA

商品概述

UCC27289是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器,开关节点(HS)的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流,以及较低的上拉和下拉电阻,使得UCC27289能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关,UCC27289可与模拟和数字控制器配合使用。两个输入相互完全独立,因此如有需要,可通过重叠输入来使两个输出重叠。使能和禁用功能通过降低驱动器的功耗,为系统提供了额外的灵活性,并能响应系统内的故障事件。 输入引脚和HS引脚能够承受显著的负电压,从而提高了系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配规格可将死区时间要求降至最低,从而提高系统效率。 高端和低端驱动器级均设有欠压锁定(UVLO)功能,若VDD电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。集成的自举二极管在许多应用中无需使用外部分立二极管,节省了电路板空间并降低了系统成本。UCC27289提供多种封装形式,以满足系统需求,如在恶劣环境中的坚固性和紧凑应用中的高密度要求。

商品特性

  • 可在高端/低端配置中驱动两个N沟道MOSFET
  • DRC封装具备使能/禁用功能
  • 禁用时电流消耗低(7 μA)
  • 典型传播延迟为16 ns
  • 带1800 pF负载时,典型上升时间为12 ns,典型下降时间为10 ns
  • 典型延迟匹配为1 ns
  • 集成100 V自举二极管
  • 典型欠压锁定电压为8 V
  • 输入可承受的绝对最大负电压为 -5 V
  • HS可承受的绝对最大负电压为 –14 V
  • 峰值输出电流为 ±3 A
  • 自举电压的绝对最大值为120 V
  • 输入相互独立且与VDD无关
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 工作结温范围为 -40℃至140℃

应用领域

  • 商用网络和服务器电源
  • 商用电信整流器
  • 直流输入无刷直流电机驱动器
  • 太阳能微型逆变器
  • 测试与测量设备

数据手册PDF