温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS4435BZ-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS4435BZ-VB
- 商品编号
- C709966
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.455nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
应用领域
- 负载开关
- 电池开关