温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4884-VB
2个N沟道 耐压:40V 电流:12A
- 描述
- 特性：无卤。 沟槽功率MOSFET。 针对高端同步整流器操作进行优化。 100% Rg测试。 100% UIS测试。应用：笔记本CPU核心。 高端开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AO4884-VB
- 商品编号
- C709895
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 641pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100%进行Rq测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心
- 高端开关
- N沟道MOSFET