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2SJ529STL-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% UIS测试。应用：负载开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ529STL-VB
- 商品编号
- C709612
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.393克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |