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BSS123-TP
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
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- 描述
- 特性：高密电池设计，极低的导通电阻RDS(ON)。电压控制小信号开关。表面贴装封装。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。湿度敏感度等级1。无卤素“绿色”器件。无铅涂层/符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- BSS123-TP
- 商品编号
- C6521970
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0451克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,170mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 60pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
适用于基站应用的200 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为700 MHz至1000 MHz。
商品特性
- 平均输出功率 = 40 W
- 功率增益 = 20 dB
- 效率 = 28.5 %
- 邻信道功率比（ACPR） = -39 dBc
- 易于进行功率控制
- 集成静电放电（ESD）保护
- 增强的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计（700 MHz至1000 MHz）
- 内部匹配，使用方便
- 符合关于限制有害物质的2002/95/EC指令（RoHS）
应用领域
适用于GSM、GSM EDGE、W-CDMA和CDMA基站的射频功率放大器，以及700 MHz至1000 MHz频率范围内的多载波应用。
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