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BSS123W RFG

1个N沟道耐压:100V 电流:160mA

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: BSS123W RFG
商品编号: C6521971
商品封装: SOT-323
包装方式: 编带
商品毛重: 0.029克(g)

商品参数

商品特性

双侧散热封装，具备最低的结到顶部热阻
N沟道，常通型
出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）
极低的导通电阻RDS(on)
极低的反向恢复电荷（Qrr）
工作温度可达175 °C
无铅引脚镀层；符合RoHS标准
非常适合高频开关和同步整流应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	160mA
	导通电阻(RDS(on))	5Ω@10V,160mA
	耗散功率(Pd)	298mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	2nC@10V
	输入电容(Ciss)	30pF@50V
	反向传输电容(Crss)	6pF@50V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)