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BSS225H6327FTSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.09A
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- 描述
- 特性：n沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS225H6327FTSA1
- 商品编号
- C6521972
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 131pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
一款500 W LDMOS射频功率晶体管，适用于广播发射机应用和工业应用。该器件出色的耐用性使其非常适合数字和模拟发射机应用。
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 额定dv/dt
- 符合AEC Q101标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
- 无卤
应用领域
- UHF频段通信发射机应用-UHF频段工业应用
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