温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK4D60-30X
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.3A 电流:4.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用中功率DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK4D60-30X
- 商品编号
- C6521314
- 商品封装
- DFN2020MD-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A；4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@8V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；7.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 296pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单