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BUK4D60-30X
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.3A 电流:4.2A
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用中功率DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK4D60-30X
- 商品编号
- C6521314
- 商品封装
- DFN2020MD-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A；4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；7.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 296pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 极快速开关
- 侧面可焊边,便于光学焊料检查
- 静电放电(ESD)保护 >1 kV 人体模型(H1C类)
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-直流到直流转换-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路