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商品参数
参数完善中
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 极低，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 可侧面焊锡浸润,便于光学焊锡检查
- 小型无引脚超薄 SMD 塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 沟槽 MOSFET 技术
- 通过 AEC-Q101 认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路
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