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BUK7S2R5-40HJ
N沟道 40V 140A
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- 描述
- 采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，封装于铜夹LFPAK88中。该产品经过全面设计和认证，满足并超越AEC-Q101要求，具备高性能和可靠性。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7S2R5-40HJ
- 商品编号
- C6521328
- 商品封装
- LFPAK-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.709nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 127pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 729pF |
商品概述
采用最新的沟槽9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计和认证，不仅满足AEC - Q101要求，还具备高性能和高可靠性。
商品特性
- 工作温度范围为 - 55 °C至 + 175 °C，适用于对热要求苛刻的环境
- LFPAK88封装：
- 与D²PAK等旧的引线键合封装相比，设计更节省空间，提高了功率密度，适用于当今空间受限的高功率汽车应用
- 薄型封装和铜夹使LFPAK88具有高效的散热性能
- LFPAK铜夹技术相比引线键合封装具有以下改进：
- 提高了最大电流承载能力和出色的电流分布能力
- 改善了漏源导通电阻（RDS(on)）
- 低源极电感
- 低热阻（Rth）
- LFPAK鸥翼引脚：
- 引脚具有柔韧性，能够吸收机械和热循环应力，提高了电路板级可靠性，与传统QFN封装不同
- 可进行目视（AOI）焊接检查，无需昂贵的X射线设备
- 易于焊接润湿，形成良好的机械焊点
- 独特的40 V沟槽9超结技术：
- 减小了单元间距和超结平台，在相同尺寸下降低了漏源导通电阻（RDS(on)）
- 与标准沟槽MOS相比，改善了安全工作区（SOA）和雪崩能力
- 严格的栅源阈值电压（VGS(th)）限制使MOSFET易于并联
应用领域
- 12 V汽车系统
- 48 V DC/DC系统（12 V次级侧）
- 更高功率的电机、灯具和电磁阀控制
- 反极性保护
- 超高性能功率开关
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