CY15V108QN-50BKXIT

EXCELON™ LP CY15X108QN是一款低功耗、8兆位非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）具有非易失性，其读写操作类似于RAM。它在提供长达119年可靠数据保留的同时，消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X108QN以总线速度执行写操作，没有写入延迟。数据在成功传输到器件后立即写入存储阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供极高的写入耐久性，能够支持10^14次读/写周期，比EEPROM多1亿次写入周期。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择，应用范围从写入次数可能至关重要的数据采集，到因串行闪存或EEPROM写入时间长可能导致数据丢失的严苛工业控制。CY15X108QN作为硬件直接替换方案，为串行EEPROM或闪存用户带来显著优势。该器件采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。器件包含只读器件ID和ID功能，允许主机确定制造商、产品密度、产品版本和每个部件的ID。器件还提供可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定电路板或系统。

• 8兆位铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为1024 K × 8
• 近乎无限的耐久性：100万亿（10^14）次读/写
• 151年数据保留
• Infineon即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 快速SPI（FSPI）
• 频率高达50 MHz
• 支持SPI模式0（0， 0）和模式3（1， 1）
• 复杂的写保护方案
• 使用写保护（WP）引脚的硬件保护
• 使用写禁止（WRDI）指令的软件保护
• 支持1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
• 器件ID和序列号
• 制造商ID和产品ID
• 器件ID
• 序列号
• 专用的256字节特殊扇区F-RAM
• 专用的特殊扇区写入和读取
• 存储内容可承受多达三次标准回流焊周期
• 低功耗
• 50 MHz下典型工作电流为5.5 mA
• 典型待机电流为9 μA
• 典型深度掉电模式电流为1.10 μA
• 典型休眠模式电流为0.1 μA
• 低电压操作
• CY15V108QN：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
• CY15B108QN：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
• 工作温度
• 扩展工业级（Q）：-40°C 至 +105°C
• 封装
• 24焊球细间距球栅阵列（24焊球FBGA）
• 符合有害物质限制（RoHS）标准