CY15V116QSN-108BKXIT

EXCELON™ Ultra CY15x116QSN 是一款采用先进铁电工艺的高性能 16 Mb 非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是一种兼具 RAM 读写操作特性的非易失性存储器。它提供长达 151 年的可靠数据保持能力，并解决了串行闪存及其他非易失性存储器带来的复杂性、系统开销和可靠性问题。与串行闪存不同，CY15x116QSN 以总线速度执行写入操作，无写入延迟。数据在成功传输到器件后立即写入存储阵列，随后可立即开始下一个总线周期，无需轮询。此外，该产品提供比其他非易失性存储器更多的写入/擦除周期，能够支持高达 10^14 次的读写周期，其写入次数比 EEPROM 多 1 亿倍。这些特性使其非常适合需要频繁或快速写入操作的非易失性存储应用，例如数据采集（写入周期次数至关重要）和工业控制（串行闪存的较长写入时间可能导致数据丢失）。CY15x116QSN 将 16 Mb F-RAM 与高速四线 SPI（QPI）单倍数据速率和双倍数据速率接口相结合，增强了 F-RAM 技术的非易失性写入能力。该器件包含只读器件 ID 和 ID 功能，SPI 总线主机可通过其确定器件的制造商、产品容量、产品版本和 ID。它还包含一个只读序列号，可用于识别特定电路板或系统。该器件支持片上纠错码逻辑，可在每个 8 字节数据单元内检测并纠正双比特错误，并具备报告 3 比特错误的功能。CY15x116QSN 还支持循环冗余校验，可用于验证存储阵列中数据的完整性。