CY62157GE30-45ZXIT

CY62157G和CY62157GE是具有嵌入式纠错码的高性能CMOS低功耗（MoBL）SRAM器件。ECC逻辑可以检测并纠正访问位置中的单比特错误。该器件提供双芯片使能选项，双芯片使能器件通过将两个芯片使能输入置为有效来访问，即CE1（上划线）为低电平且CE2为高电平。数据写入通过置位写使能输入（WE为低电平），并分别在器件数据（I/O0至I/O15）和地址（A0至A18）引脚上提供数据和地址来执行。字节高低使能（BHE、BLE）输入控制字节写入，并将相应I/O线上的数据写入指定的存储位置。数据读取通过置位输出使能（OE）输入并在地址线上提供所需地址来执行。读取的数据可在I/O线（I/O0至I/O15）上获取。当器件被取消选择（双芯片使能器件的CE1（上划线）为高电平/CE2为低电平）或控制信号无效（OE、BLE、BHE）时，所有I/O（I/O0至I/O15）置于高阻抗状态。这些器件还具有独特的“字节掉电”功能，即如果两个字节使能（BHE和BLE）均被禁用，无论芯片使能状态如何，器件都能无缝切换到待机模式，从而节省功耗。CY62157G和CY62157GE器件提供无铅48球VFBGA、44引脚TSOP II和48引脚TSOP I封装。48引脚TSOP I封装的器件也可配置为1M×8位器件。

• 超低待机电流
• 典型待机电流：1.4 μA
• 最大待机电流：6.5 μA
• 高速：45 ns
• 电压范围：1.65 V至3.6 V
• 嵌入式纠错码（ECC）用于单比特错误纠正
• 1.0 V数据保持
• 晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容输入和输出
• 提供无铅48球VFBGA、44引脚TSOP II和48引脚TSOP I封装