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BSC014N06NSSCATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:261A
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- 描述
- 特性：双侧冷却封装，具有最低的结顶热阻。 额定温度175℃。 针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC014N06NSSCATMA1
- 商品编号
- C6516242
- 商品封装
- WSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 261A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.125nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
功率MOS是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。这种“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复和具备高恢复dv/dt能力，在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中具有高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss / Ciss比值，使其具备出色的抗噪性能和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，即使在非常高的频率下开关，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。
商品特性
- 双侧冷却封装,结到顶部热阻最低,额定温度175°C
- 针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,如同步整流器
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层,符合RoHS标准
- 符合IEC61249 - 2 - 21标准,无卤素
- 源极互连增大,提高焊点可靠性
应用领域
- 零电压开关（ZVS）移相桥和其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正（PFC）和其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路