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BSC160N15NS5SCATMA1
1个N沟道 耐压:150V 电流:40A
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- 描述
- 特性：双侧冷却封装，具有最低的结到顶部热阻。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC160N15NS5SCATMA1
- 商品编号
- C6516255
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.82nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 双侧散热封装,具备最低的结到顶部热阻
- N沟道,常通型
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 工作温度可达175 °C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 非常适合高频开关和同步整流应用
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