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BSC037N08NS5ATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:131A
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- 描述
- 特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC037N08NS5ATMA1
- 商品编号
- C6516247
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 131A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 114W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的160 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2496 MHz至2690 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，具有出色的热稳定性
- 去耦引脚，可改善视频带宽
- 较低的输出电容，可提高Doherty应用的性能
- 设计旨在减少记忆效应，具有出色的预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）2002/95/EC
应用领域
- 适用于2496 MHz至2690 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器