STS14N3LLH5
1个N沟道 耐压:30V 电流:14A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STS14N3LLH5
- 商品编号
- C6501819
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.244克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- Power MOS 8TM 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
- 低导通电阻（RDSon）
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 额定雪崩能量
- 高耐用性
- ISOTOP 封装（SOT - 227）
- 极低杂散电感
- 高集成度
应用领域
- 交流和直流电机控制-开关电源-功率因数校正-制动开关