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STB12NK80ZT4
1个N沟道 耐压:800V 电流:10.5A
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- 描述
- 这些器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET，通过优化成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB12NK80ZT4
- 商品编号
- C6501487
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,5.25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.62nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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