71T75702S75BGI

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 71T75702S75BGI
商品编号: C6463542
商品封装: PBGA-119(14x22)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能

商品概述

IDT71T75702/902是2.5V高速、容量为18,874,368位（18兆位）的同步静态随机存取存储器，组织架构为512K x 36位或1M x 18位。其设计旨在消除在读写或写读操作之间转换总线方向时的空闲总线周期。地址和控制信号在一个时钟周期内施加到静态随机存取存储器，在下一个时钟周期发生相关的数据周期（无论是读还是写）。该器件包含地址、数据输入和控制信号寄存器。输出为直通式（无输出数据寄存器）。输出使能是的异步信号，可在任何给定时间禁用输出。时钟使能引脚允许在必要时暂停器件操作。当该引脚为高电平时，所有同步输入均被忽略，内部器件寄存器将保持其先前的值。三个芯片使能引脚允许用户在需要时取消选择该器件。该器件具有片上突发计数器。在突发模式下，它可以为提供给静态随机存取存储器的单个地址提供四个周期的数据。突发序列的顺序由LBO输入引脚定义。ADV/LD信号用于加载新的外部地址或递增内部突发计数器。该器件采用高性能互补金属氧化物半导体工艺，并采用标准100引脚塑料薄型四方扁平封装以及119球栅阵列封装。

商品特性

支持512K x 36位和1M x 18位存储配置
支持高性能系统速度 - 100 MHz（时钟到数据访问时间为7.5 ns）
在写和读周期之间无空闲周期
内部同步输出缓冲器使能，无需控制输出使能
单读写控制引脚
4字突发能力（交错或线性）
独立的字节写控制（可保持有效）
三个芯片使能，便于深度扩展
2.5V（±5%）电源供电
2.5V（±5%）输入/输出电源
通过ZZ输入控制掉电
边界扫描接口
采用标准100引脚塑料薄型四方扁平封装和119球栅阵列封装

数据手册PDF

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