- 引脚图
- 焊盘图
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71V632S7PFI
71V632S7PFI
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V632S7PFI
- 商品编号
- C6463666
- 商品封装
- TQFP-100(14x14)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
IDT71V632是一款3.3V高速SRAM，组织为64K × 32，完全支持Pentium和PowerPC处理器接口。流水线突发架构为高达117MHz的处理器提供经济高效的3-1-1-1二级缓存性能。IDT71V632 SRAM包含写、数据、地址和控制寄存器。内部逻辑允许SRAM基于可延迟到写周期最后时刻的决定生成自定时写。内部突发地址计数器接受来自处理器的第一周期地址，启动访问序列。第一周期输出数据将在下一个上升时钟沿之前流水线一个周期。如果选择突发模式操作（ADV=低），后续三个周期的输出数据将在接下来的三个上升时钟沿上提供给用户。这三个地址的顺序由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。IDT71V632 SRAM采用高性能、高容量的3.3V CMOS工艺，并采用JEDEC标准14mm × 20mm 100引脚薄型塑料四方扁平封装（TQFP），适用于桌面和笔记本应用，以实现板密度。
商品特性
- 64K × 32 内存配置
- 支持高系统速度：商用4.5ns时钟访问时间（117 MHz）；商用和工业用5ns、6ns、7ns时钟访问时间
- 单周期取消选择功能
- LBO输入选择交错或线性突发模式
- 自定时写周期，具有全局写控制（GW）、字节写使能（BWE）和字节写（BWx）
- 通过ZZ输入控制掉电
- 采用单3.3V电源供电（+10/-5%）
- 采用JEDEC标准100引脚矩形塑料薄型四方扁平封装（TQFP）
应用领域
- 台式机
- 笔记本