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ULN2003LVDR

7通道中继和电感负载灌电流驱动器

描述: ULN2003LV 7 通道中继和电感负载下沉式驱动器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: ULN2003LVDR
商品编号: C72751
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.296克(g)

商品参数

商品概述

ULN2003LV 是一款针对 TI 生产的 ULN2003 系列 7 通道达灵顿 (Darlington) 复合晶体管阵列的低压和低功耗升级产品。ULN2003LV 下沉式驱动器特有 7 个低输出阻抗驱动器以支持低压中继和电感线圈应用。低阻抗驱动器大大降低了片上功耗；对于典型 3V 中继，功率耗散低了多达 5 倍。ULN2003LV 支持 3.3V 至 5V CMOS 逻辑输入接口，从而使得此器件与大范围的微控制器和其它逻辑接口兼容。ULN2003LV 特有一个改进的输入接口，此接口可以大大降低取自外部驱动器的输入 DC 电流。ULN2003LV 特有一个输入 RC 缓冲器，此缓冲器能够极大地改进此器件在嘈杂运行条件下的性能。ULN2003LV 通道输入特有一个内部输入下拉电阻器从而可实现三态输入逻辑。ULN2003LV 也可以支持其他逻辑输入电平，例如 TTL 和 1.8V。ULN2003LV 通过将几条相邻的并联通道相组合来提供增加电流吸收能力的灵活性。在通常情况下，当所有7 个通道并联时，ULN2003LV 能够支持高达 1.0A 的负载电流。此外，ULN2003LV 还可用于各类需要灌电流驱动器的应用。

商品特性

7 通道高灌电流驱动器
支持高达 8V 的输出上拉电压
支持 3V 至 5V 的宽范围中继和电感线圈
输出VOL典型值为 0.4V
在 3.3V 的逻辑输入上，每通道具有 100mA（典型值）的电流吸收能力
在 5.0V 的逻辑输入上，每通道具有 140mA（典型值）的电流吸收能力
与 3.3V 和 5.0V 微控制器和逻辑接口兼容
内置用于电感反冲保护的内部续流二极管
输入下拉电阻可实现三态输入驱动器
具备用来消除嘈杂环境中寄生运行的输入电阻电容 (RC) 缓冲器
低输入和输出泄漏电流
易于使用的并行接口
静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求，2kV 人体放电模式 (HBM)，500V 组件充电模式 (CDM)
提供 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装

应用领域

多种电信、消费类和工业应用中的中继和电感负载驱动
照明灯和 LED 显示
逻辑电平转换

	属性	参数值
	商品目录	达林顿晶体管阵列
	通道数	七路
	集射极击穿电压(Vceo)	-
	集电极电流(Ic)	140mA
	最大输入电压(VI)	5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃
	集电极漏电流(Icex)	0.17uA

	属性	参数值
	集射极饱和电压(VCE(sat))	170mV@50mA
	输入电流(on)	12uA
	输入电流(off)	250nA
	正向压降(Vf)	1.2V
	反向电流(Ir)	-
	输入电容(Ci)	15pF
	类型	BJT