VBZE90N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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描述
台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,30V;100A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBZE90N03商品编号
C700664商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.397克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 35.8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 3.75W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.201nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 770pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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