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VBZE90N03

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:120A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252;N—Channel沟道,30V;100A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    VBZE90N03
  • 商品编号

    C700664
  • 商品封装

    TO-252-2
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.397克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-
功率(Pd)3.75W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)5.201nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)770pF@15V
工作温度-55℃~+175℃

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