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YJL03N06B
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- Trench Power MV MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJL03N06B
- 商品编号
- C699285
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能