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YJD50N03A
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- Trench Power LV MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJD50N03A
- 商品编号
- C699269
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.458克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 198pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
商品特性
- 100% 非钳位感性负载（UIS）测试
- 100% ▽VDS 测试
应用领域
- 大电流负载应用-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源