- 引脚图
- 焊盘图
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2N6052
2N6052
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- 2N6052
- 商品编号
- C6379795
- 商品封装
- TO-204(TO-3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 集电极电流(Ic) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V；3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 3500 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 4V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2.8V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
2N6052是一款采用TO - 3型封装的硅PNP达林顿晶体管，适用于通用放大器和低频开关应用。
商品特性
- 高直流电流增益：在IC = 5A时，hFE典型值为3500
- 集电极 - 发射极维持电压：在100mA时，VCEO(sus)最小值为100V
- 采用单片结构，内置基极 - 发射极并联电阻