2N6667
2N6667
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- 2N6667
- 商品编号
- C6379831
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 直流电流增益(hFE) | 1000 | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 10A | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
2N6666、2N6667和2N6668是采用TO-220封装的硅PNP达林顿功率晶体管，适用于通用放大器和低速开关应用。
商品特性
- 直流电流增益：在集电极电流IC = 4A时，hFE = 3000（典型值）
- 集电极 - 发射极维持电压：
- 2N6666：VCEO(sus) = 40V（最小值）
- 2N6667：VCEO(sus) = 60V（最小值）
- 2N6668：VCEO(sus) = 80V（最小值）
- 低集电极 - 发射极饱和电压：
- 2N6666：在集电极电流IC = 3A时，VCE(sat) = 2V（最大值）
- 2N6667、2N6668：在集电极电流IC = 5A时，VCE(sat) = 2V（最大值）
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