- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N6725
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 4000 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 2V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 2V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
2N6725是一款硅NPN达林顿功率晶体管，专为放大器应用而设计。