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PJA138K-AU_R1_000A1

1个N沟道耐压:50V 电流:500mA

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描述: 特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@500mA < 1.6Ω。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@200mA < 2.5Ω。 RDS(ON)，VGS@2.5V，ID@100mA < 4.5Ω。先进的沟槽工艺技术。专为电池供电系统、固态继电器驱动器设计：继电器、显示器、存储器等。通过AEC-Q101认证。 ESD防护2KV HBM。符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。符合IEC 61249标准的绿色模塑料
品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJA138K-AU_R1_000A1
商品编号: C6357463
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0303克(g)

商品参数

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于所有功率耗散水平约达500 W的商业 - 工业应用，SOT - 227封装普遍受到青睐。SOT - 227的低热阻使其在整个行业得到广泛认可。

~~- 全隔离封装-易于使用和并联-低导通电阻-动态dv/dt额定值-全雪崩额定值-驱动要求简单-漏极至外壳电容低-内部电感低-通过UL认证,文件编号E78996-为工业级设计