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PJQ1916_R1_00001

1个N沟道耐压:20V 电流:950mA

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品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJQ1916_R1_00001
商品编号: C6357530
商品封装: DFN1006-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.011克(g)

商品参数

商品概述

60N03是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 60N03符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试保证，具备完整功能可靠性认证。超低栅极电荷 100%雪崩耐量（EAS）保证提供绿色环保器件出色的CdV/dt效应抑制先进的高单元密度沟槽技术

商品特性

先进沟槽工艺技术
静电放电保护
专为开关负载、脉宽调制(PWM)应用等设计
符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	950mA
	导通电阻(RDS(on))	300mΩ@4.5V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	1.1nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	46pF
	工作温度	-55℃~+150℃