PJD12P06-AU_L2_000A1
1个P沟道 耐压:60V 电流:2.6A 电流:12A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJD12P06-AU_L2_000A1
- 商品编号
- C6357500
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A；2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W；50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 385pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该产品是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 超低导通电阻：RDS(on) 最大值为30 mΩ（VGS = -10 V，ID = -18 A）
- RDS(on) 最大值为40 mΩ（VGS = -4.5 V，ID = -18 A）
- 低输入电容：Ciss典型值为3200 pF
- 内置栅极保护二极管
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 无铅（该产品外部电极不含铅）
应用领域
- 汽车领域
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