TP65H070LDG-TR
1个N沟道 耐压:650V 电流:25A
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- 品牌名称
- Transphorm
- 商品型号
- TP65H070LDG-TR
- 商品编号
- C6339100
- 商品封装
- PQFN-3(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
~~- 低静态漏源导通电阻-增强的电感耐用性-快速开关时间-低输入电容-扩展的安全工作区-提高的高温可靠性-TO220 型隔离封装
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