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SI1539CDL-T1-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI1539CDL-T1-VB
- 商品编号
- C693375
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 880mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.25pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤素
- 沟道型场效应管（TrenchFET）功率MOSFET：额定电压1.8 V
- 热增强型SC-70封装
- 快速开关
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关