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FDS3672-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:16A
- 描述
- 特性：Trench Power MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：DC/DC初级侧开关。 电信/服务器
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS3672-VB
- 商品编号
- C693142
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；10.5mΩ@7.5V；11mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 790pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 材料分类
应用领域
- 直流-直流初级侧开关
- 电信/服务器
- 电机驱动控制
- 同步整流