BSS169-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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描述
台积电流片,长电科技封装;这是一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性。可在不同领域和模块中的广泛应用。SOT23;N—Channel沟道,100V;2A;RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.8V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
BSS169-VB商品编号
C693160商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
耗散功率(Pd) | 1.6W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 190pF@50V | |
反向传输电容(Crss) | 13pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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