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TPCA8103-VB
1个P沟道 耐压:30V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-120A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- TPCA8103-VB
- 商品编号
- C693181
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V；6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.05nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.215nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 无卤素
- 沟槽功率MOSFET
- 100%栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑
- 负载开关