AO7414-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,具有良好的性能稳定性和可靠性。适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块,如电源开关、电动工具控制器和低压断路器等领域。SC70-3;N—Channel沟道,20V;4A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=±12V;Vth=0.6~1.3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AO7414-VB
- 商品编号
- C693146
- 商品封装
- SOT-323(SC-70)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备-负载开关-电池开关-电机、继电器和螺线管的负载开关
