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STN4NF03L-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:7A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型Trench技术MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动器、照明控制模块等领域。SOT223；N—Channel沟道,30V；7A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STN4NF03L-VB
- 商品编号
- C693135
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.203克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个2500个/圆盘
总价金额：
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