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RFP40N10-VB

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:100V 电流:45A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用,高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220;N—Channel沟道,100V;55A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    RFP40N10-VB
  • 商品编号

    C693116
  • 商品封装

    TO-220AB-3
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    2.65克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@10V,5A
功率(Pd)127W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.4nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)90pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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