RFP40N10-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用,高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220;N—Channel沟道,100V;55A;RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RFP40N10-VB商品编号
C693116商品封装
TO-220AB-3包装方式
管装
商品毛重
2.65克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 45A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 32mΩ@10V,5A | |
功率(Pd) | 127W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.4nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 90pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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