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RFP40N10-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RFP40N10-VB
- 商品编号
- C693116
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |