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AP9973GJ-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP9973GJ-VB
- 商品编号
- C693113
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |