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SI4850DY-T1-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:7.6A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。沟槽功率 MOSFET。针对“低端”同步整流器操作进行优化。100%进行 Rg 和 UIS 测试。符合 RoHS 标准。应用：CCFL 逆变器
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4850DY-T1-VB
- 商品编号
- C693081
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽型功率MOSFET
- 针对“低端”同步整流器操作进行了优化
- 100%进行Rg和UIS测试
- 提供符合RoHS标准的无卤产品
应用领域
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器