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IRLMS2002TR-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.5A
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- 描述
- 特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 沟槽功率 MOSFET。 低导通电阻。 经过 100% Tg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：DC/DC 转换器。 高速开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLMS2002TR-VB
- 商品编号
- C692968
- 商品封装
- TSOP-6-1.5mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 424pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 低导通电阻
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直流-直流（DC/DC）转换器
- 高速开关