AP6679GH-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于多种领域和模块。TO252;P—Channel沟道,-30V;-60A;RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=-1~-3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AP6679GH-VB商品编号
C692963商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.394克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 58A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 87W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 240nC@15V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 4nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 715pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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