SI3460BDV-T1-BE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.7A 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI3460BDV-T1-BE3
- 商品编号
- C6295866
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W；3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式应用的负载开关
- 低压总线的负载开关
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