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TSM070NH04LCV RGG

1个N沟道耐压:40V 电流:54A 电流:14A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM070NH04LCV RGG
商品编号: C6291791
商品封装: PDFN-8(3.1x3.1)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.092克(g)

商品参数

商品概述

DMP4051LK3-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

VDS = - 40V，ID = - 25A
在VGS = 10V时，RDS(ON) < 44mΩ

应用领域

电池保护
负载开关
不间断电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	54A；14A
	导通电阻(RDS(on))	7mΩ@10V,27A
	耗散功率(Pd)	36W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V
	栅极电荷量(Qg)	24nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.376nF@25V
	反向传输电容(Crss)	34pF@25V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)