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TSM090N03ECP ROG
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 商品型号
- TSM090N03ECP ROG
- 商品编号
- C6291793
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 10.533333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,16A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@25V |
商品概述
IRLR8726TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源极电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 100 A
- 当栅源极电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源