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TSM80N1R2CP ROG

1个N沟道耐压:800V 电流:5.5A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM80N1R2CP ROG
商品编号: C6291821
商品封装: TO-252(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品特性

超结技术
因品质因数小而具备高性能
高耐用性
高换向性能
无铅电镀
符合欧盟指令 2011/65/EU 的 RoHS 标准,且符合 WEE 2002/96/EC 标准
根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品

应用领域

-电源-照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	5.5A
	导通电阻(RDS(on))	1.2Ω@10V
	耗散功率(Pd)	110W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	19.4nC@10V
	输入电容(Ciss)	685pF
	反向传输电容(Crss)	9.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃