- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK125V65Z,LQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:24A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK125V65Z,LQ
- 商品编号
- C6284814
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.25nF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.105Ω(典型值)
- 低电容,具备高速开关特性。
- 增强型:Vth = 3 至 4 V(VDS = 10 V,ID = 1.02 mA)
应用领域
- 开关电源
- TK12A50D(STA4,Q,M)
- TK12A53D(STA4,Q,M)
- TK12Q60W,S1VQ
- TK155U65Z,RQ
- TK17E80W,S1X
- TK290P60Y,RQ
- TK2R4E08QM,S1X
- TK31V60W,LVQ
- TK39J60W,S1VQ
- TK3A60DA(Q,M)
- TK3A65DA(STA4,QM)
- L18D1AN01-00000-000
- L18D1AN01-ABZ00-000
- L18D1CHC1-00000-000
- TK1805800000G
- L18E1S001-JZZ00-000
- TK1905800000G
- L18P010S05
- L18P030S05
- L196B-QEC-RR-TR
- L196L-LIC